ધારો કે ફોટોઇમિશન થાય છે,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કયા અવયવ દ્વારા થાય છે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E_{k})$ નો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથેનો ફેરફાર નીચેનામાંથી કયો આલેખ યોગ્ય રીતે દર્શાવે છે?

ફોટોસેલ સર્કિટમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ એ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનું માપ છે. નીચેનો આલેખ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલના પ્રાયોગિક રીતે માપેલા મૂલ્યો દર્શાવે છે. આલેખ પરથી નક્કી કર્યા મુજબ પ્લાન્કનો અચળાંક અને વર્ક ફંક્શનના મૂલ્યો છે (ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જનું મૂલ્ય $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$ લેતા):

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓનો પ્રકાશ,જેના ફોટોનની ઊર્જા અનુક્રમે $3.8 \, eV$ અને $1.4 \, eV$ છે,તે એક ધાતુની સપાટી પર વારાફરતી આપાત થાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $0.6 \, eV$ છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

જ્યારે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ થી બદલાઈને $\frac{3v}{2}$ થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ બમણું થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?